第3章 二极管及其基本电路二极管及其基本电路测验题1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
a、自由电子
b、共价键中价电子
c、正离子
d、负离子
2、n型半导体中的多数载流子是 ，而p型半导体中的多数载流子是 。
a、自由电子，空穴
b、空穴，自由电子
c、自由电子，正离子
d、空穴，负离子
e、空穴，正离子
f、自由电子，负离子
3、pn结内电场方向是由 。
a、n区指向p区
b、p区指向n区
c、不确定
d、与外加电压有关
4、pn结正偏是指 。
a、n区电位高于p区
b、p区电位高于n区
c、p区和n区电位相等
d、与外加电压无关
5、二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
a、导通电流和耗散功率，最大反向电压
b、最高工作频率，最大反向电压
c、最高工作频率，导通电流和耗散功率
d、结电容，最高工作频率
e、最大反向电压，结电容
6、齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
a、正向导通
b、反向截止
c、反向击穿
d、放大
7、点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
a、正偏电压，反偏电压，反偏电压
b、正偏电压，反偏电压，零偏压
c、反偏电压，正偏电压，正偏电压
d、反偏电压，正偏电压，反偏电压
e、正偏电压，正偏电压，反偏电压
8、已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 ma，那么，此时二极管在室温（300k）下的小信号模型参数rd = 。
a、19.2 kω
b、1 kω
c、52 kω
d、52 ω
9、设简单硅二极管基本电路如图所示，已知r = 1kw。当vdd =10v时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流id分别为 和 ；当vdd =1v时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流id分别为 和 。
a、10ma，9.3ma； 1ma，0.3ma
b、10ma，1ma；9.3ma，3ma
c、1ma，0.93ma；0.1ma，0.03ma
d、10ma，0.93ma；1ma，0.03ma
10、12v电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24v的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
a、240ma，24v
b、120ma，12v
c、120ma，36v
d、360ma，36v
11、电路如图所示，若vs是有效值为220v的正弦波电压，rl = 100w，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。
a、220v，0.99a
b、220v，2.2a
c、
d、
12、电路如图所示，d1，d2为硅二极管，当vs = 6sinwt v时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vo的波形是 。
a、
b、
c、
d、
13、二极管电路如图所示。输入电压只有0v或5v两个取值。利用二极管理想模型分析，在vi1和vi2电压的不同组合情况下，输出电压vo的值是 。
a、vo的a列
b、vo的b列
c、vo的c列
d、vo的d列
14、电路如图所示，d为硅二极管，若vdd = 2 v，r = 1 kw，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mv。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vo的静态电压 ；动态时，vo的交流电压振幅为 。
a、2ma，2v；0.05v
b、1.3ma，1.3v；0.05v
c、2ma，2v；0.049v
d、1.3ma，1.3v；0.049v
15、稳压电路如图所示。若vi =10v，r =100w，齐纳二极管的vz =5v，iz(min)=5ma，iz(max)=50ma，那么负载rl的变化范围是 。
a、大于111w
b、小于111w
c、大于111kw
d、小于111kw
16、半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
17、对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
18、二极管简化模型将二极管的i-v非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
19、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
20、在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
第1章 绪 论绪论测验题1、当输入信号频率为fl或fh时，放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。
a、0.5倍
b、0.7倍
c、0.9倍
d、1倍
2、某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入3kw的负载电阻后，输出电压为3v。说明放大电路的输出电阻为 。
a、10 kw
b、2 kw
c、1kw
d、0.5kw
3、已知某信号源内阻为1kw，未接放大电路时测得信号源电压为10mv，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mv，说明放大电路的输入电阻为 。
a、5 kw
b、4 kw
c、2kw
d、1kw
4、已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10v～＋10v，若放大电路的通带电压增益是40db，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。
a、－0.1v～＋0.1v
b、－0.25v～＋0.25v
c、－0.5v～＋0.5v
d、－1.0v～＋1.0v
5、信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。
6、只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
7、用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。
8、放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
9、放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。
10、放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
11、同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。
12、放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。
第7章 模拟集成电路模拟集成电路测验题1、当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mv，vi2= 150mv，则vid= mv，vic= mv。
a、100，200
b、100，400
c、200，100
d、50，200
2、双端输出的理想差分放大电路，已知|avd | = 40，|avc | = 0。若vi1=20mv，vi2= -5mv 。则|vo |为 mv。
a、1000
b、600
c、-200
d、800
3、电流源电路如图所示，vdd = vss =5v，t1～t3的vtn = 2v，l = 0，而kn1 = kn3 = 0.25 ，kn2=0.10，则iref = ma和io = ma。
a、2.25，0.9
b、22.5，0.9
c、1，0.1
d、5，0.2
4、电流源电路是一个___________，其交流等效电阻__________。
a、双口网络，恒定
b、单口网络，很小
c、单口网络，很大
d、双口网络，很小
5、放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
a、采用了直接耦合方式
b、采用了阻容耦合方式
c、采用了正负双电源供电
d、增益太大
6、差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。
a、差模增益的大小
b、共模增益的大小
c、抑制零漂的能力
d、带负载能力
7、差分式放大电路最重要的特点是 。
a、较高的差模增益和很低的共模增益
b、零点漂移严重
c、频带很宽
d、输入电阻很小
8、在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是 。
a、提高输入电阻
b、提高差模电压增益
c、提高共模电压增益
d、提高共模抑制比
9、集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的 能力强。
a、电压放大
b、电流放大
c、带负载
d、抑制零点漂移
10、设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uv，vi2=950uv，若电路的| avd | = 100，| avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。
a、12mv
b、10mv
c、200mv
d、120mv
e、100mv
11、在电路图示的源极耦合差分式放大电路中，vdd = vss =5v，io = 0.2ma，电流源输出电阻ro=100kw，rd1 =rd2 =rd = 10kw，fet的kn= 1.5m，且ro >>rds >>rd，那么t2漏极单端输出时的差模电压增益avd2 =________，共模抑制比kcmr =________。
a、3.85, 77
b、3.85, 110
c、-3.85, 77
d、-3.85, 110
12、在图示的射极耦合差分式放大电路中，vcc＝vee＝10v，io＝1ma，ro＝25kw，rc1＝rc2＝10kw，bjt的β＝200，vbe＝0.7v。当vi1＝vi2＝0时，vce1＝vce2＝________；由t1集电极单端输出时的差模电压增益avd1»________，共模抑制比kcmr »________。
a、5.7v, -93.5, 467.5
b、5v, -93.5, 467.5
c、5.7v, 93.5, 467.5
d、5v, 93.5, 767.5
13、通用型集成运算放大器高频区的电压增益幅频响应在0db以上的斜率一般是 。
a、3db/十倍频
b、-20db/十倍频
c、20db/十倍频
d、40db/十倍频
e、-40db/十倍频
14、运放的单位增益带宽ft＝1mhz，转换速率sr＝1v/μs，当运放构成反相放大电路时的闭环增益av＝-10，则小信号闭环带宽fh＝______；当输出电压不失真最大幅度vom＝10v时，那么全功率带宽bwp＝______。
a、100khz, 15.9khz
b、10khz, 15.9khz
c、100khz, 159khz
d、100hz, 159hz
e、100khz, 159hz
15、交流放大电路如图所示。电容对信号来说可视为短路。其交流电压增益表达式为________。
a、
b、
c、
d、
16、运放单电源阻容耦合放大电路如图所示，其交流电压增益表达式为_______。
a、
b、
c、
d、
17、图示电路中，已知运放741的iio＝20na，iib＝100na，vio＝5mv，且r2＝r1//rf ，那么电路的输出直流误差电压vo =________。
a、507mv
b、505mv
c、517mv
d、515mv
18、差分式放大电路与单管放大电路相比，增加了大约一倍的元器件，但获得了抑制零点漂移的能力。
19、共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。
20、差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。
21、差分式放大电路的漏极或集电极带镜像有源负载时，可以使单端输出等效为双端输出。
22、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。
23、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求avo、rid、kcmr越大越好。
24、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求ro、iib、iio、vio、diio/dt、dvio/dt越小越好。
25、当希望集成运放尽可能接近理想运放时，要求bw(fh) 、sr越小越好。
26、运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fh是较低的，一般通用型运放的fh约为几赫兹至几十赫兹。
27、在设计运放构成的交流放大电路时，需要特别关注运放输入端的直流通路。
28、在单电源工作的运放电路中，输出静态电压的设置都与输入信号无关。
29、iib、iio、vio的影响只会产生输出静态误差，不会导致运放工作异常。
30、轨到轨运算放大器消除了失调电压和失调电流的影响。
31、图示电路是可以正常工作的交流电压跟随器电路。
第2章 运算放大器运算放大器测验题1、理想运算放大器的参数是开环电压增益avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
a、0，∞，∞
b、∞，0，∞
c、∞，0，0
d、∞，∞，0
2、放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而 放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
a、同相，反相
b、反相，同相
c、同相，同相
d、反相，反相
3、欲将方波电压转换为三角波电压，应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、加法运算电路
4、欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、加法运算电路
5、欲将输入电压信号放大-100倍，应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、同相加法运算电路
6、电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）av = vo/vi = ，ri = ；图（b）av = vo/vi = ，ri = 。
a、图（a）av =11，ri =1 kω；图（b）av＝1；ri =1 kω
b、图（a）av = -10，ri =1 kω；图（b）av＝1；ri =1 kω
c、图（a）av = 11，ri =1 kω；图（b）av＝1；ri =∞
d、图（a）av = -10，ri =1 kω；图（b）av＝1；ri =∞
7、电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vo = f(vi) = 。
a、
b、
c、
d、
8、理想运算放大器构成的电路如图10所示， = 。
a、
b、
c、
d、
9、加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为 。
a、
b、
c、
d、
10、电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则= 。
a、
b、
c、
d、
11、电路如图13所示，开关s闭合时电路增益 ＝ ；开关s断开时电路增益 ＝ 。
a、
b、
c、
d、
12、在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
13、在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
14、集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。
15、放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。
16、电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
第4章 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路测验题1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。
a、电流，电场
b、电场，电压
c、电流，电压
d、电压，电流
2、n沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
a、空穴
b、电子
c、电子和空穴
d、正离子
e、负离子
3、p沟道增强型mos管的栅源开启电压是________。
a、正值
b、负值
c、零值
d、不确定的
4、一个mos场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流id的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。
a、n沟道耗尽型
b、n沟道增强型
c、p沟道增强型
d、p沟道耗尽型
5、在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。
a、共漏，共源，共栅，共漏，共栅
b、共源，共漏，共栅，共漏，共栅
c、共漏，共栅，共源，共漏，共栅
d、共漏，共栅，共漏，共源，共栅
6、用两个放大电路a和b分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，a和b的输出电压相等；当都接入负载电阻rl时，测得a的输出电压小于b的输出电压，由此说明，电路a的输出电阻比电路b的输出电阻________。
a、大
b、小
c、相等
d、不能确定
7、在图示电路中，已知各mos管的çvt ç=0.5v，mos管处于截止状态的电路是_______。
a、图（a）
b、图（b）
c、图（c）
d、图（a）和图（b）
e、图（b）和图（c）
f、图（a）和图（c）
8、当栅源电压为0v时，_______mos管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
a、n沟道耗尽型
b、n沟道增强型
c、p沟道耗尽型
d、p沟道增强型
9、试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。
a、图（a）
b、图（b）
c、图（c）
d、图（d）
10、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_______。
a、图（b）
b、图（c）
c、图（d）
d、图（b）和图（d）
11、已知电路参数如图(a)所示，fet工作点上的互导gm＝1ma/v，设rds＞＞rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。
a、图(c)，-10，2075 kw
b、图(b)，-3.3，2075 kw
c、图(b)，-10，2075 kw
d、图(c)，-3.3，2075 kw
12、电路如图所示。设电流源电流i＝0.5ma、vdd＝vss＝5v，rd＝9kω，cs很大，对信号可视为短路。场效应管的vt＝0.8v，kn＝1，l = 0。则场效应管的gm » _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。
a、1.42 ma/v，12.78
b、3.02 ma/v，-27.2
c、1.42 ma/v，-12.78
d、3.02 ma/v，-12.78
13、源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为kn＝1，vtn＝1.2/v，l=0。电路参数为vdd＝vss＝5v，rg＝500kω，rl＝4kω。若电流源i=1ma，则小信号电压增益约为________，输出电阻约为________。
a、8，0.5kw
b、0.89，0.5kw
c、0.89，2w
d、1，2w
14、图示电路参数为i＝0.5ma，vdd＝vss＝5v，rg＝100 kω，rd=10kω， rsi＝1kω。场效应管参数为vtn＝1v，kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为________，源电压增益aυs＝υo/υs =_________，输出电阻约为________。
a、2 kw，5，10kw
b、0.5kw，-5，10kw
c、1 kw，-5，10kw
d、1 kw，5，10kw
15、放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
16、小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点q，模型参数大小也与q点位置无关。
17、在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。
18、mosfet放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
19、作为放大器件工作时，耗尽型n沟道mosfet的栅源电压能用正向偏置。
20、mosfet的低频跨导gm是一个常数。
21、增强型mos管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。
22、场效应管仅靠一种载流子导电。
23、设mos管的vtn＝1v，当测量到它在电路中的电压值为：vds＝3v，vgs＝2v时，可以断定该mos管工作在饱和区。
24、设mos管的vpn＝-2v，当测量到它在电路中的电压值为：vds＝3v，vgs＝-1v时，可以断定该mos管工作在饱和区。
25、设mos管的vtp＝-1v，当测量到它在电路中的电压值为：vds＝-3v，vgs＝-2v时，可以断定该mos管工作在截止区。
第5章 双极结型三极管及其放大电路双极结型三极管及其放大电路测验题1、bjt具有放大作用的外部电压条件是发射结_______，集电结_______。
a、正偏，反偏
b、反偏，正偏
c、零偏，正偏
d、反偏，零偏
2、当温度升高时，bjt集电极电流______。
a、增大
b、减小
c、不变
d、不确定
3、bjt放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
a、功率，共集电极
b、共集电极，反馈
c、反馈，功率
d、共集电极，共基极
4、npn型bjt共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______，此时应该_______基极电流。
a、饱和失真，增大
b、截止失真，减小
c、交越失真，减小
d、截止失真，增大
e、饱和失真，减小
5、用直流电压表测得放大电路中某bjt各管脚电位分别是2v、6v、2.7v，则三个电极分别是_______，该管是________型。
a、b、c、e；npn
b、c、b、e；npn
c、e、c、b；npn
d、b、c、e；pnp
e、f、b、e；pnp
f、e、c、b；pnp
6、复合管如图所示，等效为一个bjt时，2端是 ，3端是 。
a、基极，集电极
b、集电极，发射极
c、发射极，集电极
d、发射极，基极
7、图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_______ （设各电容的容抗可忽略）。
a、图(a)
b、图(b)
c、图(c)
d、图(d)
8、测量若干硅npn型bjt各电极对地的电压值如下，工作在放大区的bjt是________。
a、vc＝6v，vb＝2v，ve＝1.3v
b、vc＝6v，vb＝6v，ve＝5.6v
c、vc＝6v，vb＝4v，ve＝3.6v
d、vc＝3.6v，vb＝4v，ve＝3.4v
9、设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为________。
a、图(a)
b、图(b)
c、图(c)
d、图(d)
10、电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的________元件，将其________。
a、rb，调小
b、rc，调小
c、rb，调大
d、rc，调小
e、cb1，调大
f、cb2，调大
11、射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为________。
a、-90
b、-103
c、-110
d、-120
12、在图示电路中，已知rb＝260kw，re＝rl＝5.1kw，rsi＝500w，vee＝12v，b＝50，|vbe|＝0.2v，则电路的输入电阻约为________，输出电阻约为________。
a、87.3w，36w
b、87.3 kw，36w
c、110.3 kw，33 kw
d、87.3 kw，33 kw
13、共基极电路如图所示。设b＝100，rs＝0，rl＝¥，则电路的电压增益约为_______，输入电阻约为________，输出电阻约为________。
a、268，28w，7.5kw
b、288，5.5kw，7.5kw
c、288，5.5kw，28w
d、268，5.5kw，20w
14、npn型bjt只能在正电源电压下工作，而pnp型bjt只能在负电源电压下工作。
15、同一只bjt，无论在什么情况下，它的b 值始终不变。
16、bjt放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。
17、在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的q点。
18、直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
19、bjt的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。
20、可以用万用表的“w”挡测量出bjt的h参数rbe电阻。
21、bjt组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。
第6章 放大电路频率响应放大电路频率响应测验题1、某放大电路中的幅频响应波特图如图示。那么该电路的中频电压增益=______，上限频率fh =______，下限频率fl =______。
a、1000，100mhz，100hz
b、60db，100hz，100mhz
c、60，1hz，10ghz
d、60，10ghz，1hz
2、某放大电路增益的幅频响应波特图如图示。当输入信号的频率等于下限截止频率或上限截止频率时，该电路的实际增益是_________（db）。
a、60
b、57
c、40
d、63
3、图示一阶rc电路，其电压传递函数为_________。
a、
b、
c、
d、rc
4、图示一阶rc高通电路，当输入信号的频率等于时，电路的_______。
a、0db
b、3db
c、-3db
d、-20db
5、图示一阶rc电路，设r=1kw，为了对高于1mhz信号的衰减能达到3db以上，只要电容c值________就可以。
a、大于1pf
b、大于160pf
c、大于1mf
d、大于10mf
6、电路如图所示，其中 vdd=5v，rsi = 1kw，rg1= 30kw，rg2 = 20kw，rd = 4kw，gm= 0.8ms，l = 0，cgs=1pf，cgd=0.5pf。那么该电路源电压增益的上限截止频率约为 。
a、55.7mhz
b、5.57mhz
c、28.4mhz
d、557khz
7、电路如图示，已知该电路在室温(300k)下运行，且bjt的vbeq＝0.6v，rbb¢＝100w，b0＝100，cb¢c＝0.5pf，ft ＝400mhz；vcc＝12v，rb1＝100kw，rb2＝16kw，re＝1kw，rc＝rl＝5.1kw，rs＝1kw，那么该电路的上限截止频率约为 。
a、3.45mhz
b、345khz
c、221khz
d、457khz
8、放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。
a、耦合电容和旁路电容的影响
b、三极管极间电容和分布电容的影响
c、三极管的非线性特性影响
d、放大电路的静态工作点不合适
9、放大电路在低频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。
a、耦合电容和旁路电容的影响
b、三极管极间电容和分布电容的影响
c、三极管的非线性特性影响
d、放大电路的静态工作点不合适
10、在两级放大电路中，已知各自单级20lg|avm1| = 40db，fl1 = 4hz，fh1 = 20khz；20lg|avm2| = 30db，fl2 = 400hz，fh2 = 150khz。则两级放大电路的电压增益为 ，上限截止频率约为 ，下限截止频率约为 。
a、70db，20khz，400hz
b、10db，20khz，150hz
c、12db，，44khz，400hz
d、40db，170khz ，4hz
11、在共源极和共射极电路的高频等效电路中，分别由 和 引入了密勒效应。
a、栅-源极电容cgs，基-射极电容cb¢e
b、栅-漏极电容cgd，基-集极电容cb¢c
c、漏-源极电容cds，基-射极电容cb¢e
d、漏-源极电容cds，基-集极电容cb¢c
12、某放大电路的通频带是50hz～50khz，中频电压增益＝40db，最大不失真交流输出电压范围是－3v～＋3v。下列信号中，经该电路放大后基本不会产生失真（失真率γ<10%）的是 。
a、幅度为10mv，频率为4khz的方波
b、幅度为20mv，频率为50khz的方波
c、30sin(4p´t) mv
d、40sin(4p´25´t)mv
13、为降低图示电路的下限截止频率但又不改变通带增益，可采取的措施是________。
a、增大cb1, cb2
b、增大ce
c、增大rc
d、增大rl
14、在分析放大电路频率响应时，通过等效rc高通电路分析高频响应，而通过等效rc低通电路分析低频响应。
15、无旁路电容的直接耦合放大电路区别于阻容耦合放大电路的特点是，它在低频区的增益不会衰减。
16、通常情况下，对共源极放大电路低频特性影响更大的是源极旁路电容。
17、可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率。
18、可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。
19、通常共栅极和共基极放大电路的通频带要宽于共源极和共射极放大电路。
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