复习1: 半导体二极管及其基本电路1、二极管及其基本电路测验题1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
a、自由电子
b、共价键中价电子
c、正离子
d、负离子
2、n型半导体中的多数载流子是 ,而p型半导体中的多数载流子是 。
a、自由电子,空穴
b、空穴,自由电子
c、自由电子,正离子
d、空穴,负离子
e、空穴,正离子
f、自由电子,负离子
3、pn结内电场方向是由 。
a、n区指向p区
b、p区指向n区
c、不确定
d、与外加电压有关
4、pn结正偏是指 。
a、n区电位高于p区
b、p区电位高于n区
c、p区和n区电位相等
d、与外加电压无关
5、二极管正偏时应重点关注 ,反偏时应重点关注 。
a、导通电流和耗散功率,最大反向电压
b、最高工作频率,最大反向电压
c、最高工作频率,导通电流和耗散功率
d、结电容,最高工作频率
e、最大反向电压,结电容
6、齐纳二极管正常稳压时,工作在 状态。
a、正向导通
b、反向截止
c、反向击穿
d、放大
7、点亮发光二极管应加 ,光电二极管正常工作时应加 ,变容二极管正常工作时应加 。
a、正偏电压,反偏电压,反偏电压
b、正偏电压,反偏电压,零偏压
c、反偏电压,正偏电压,正偏电压
d、反偏电压,正偏电压,反偏电压
e、正偏电压,正偏电压,反偏电压
8、已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 ma,那么,此时二极管在室温(300k)下的小信号模型参数rd = 。
a、19.2 kω
b、1 kω
c、52 kω
d、52 ω
9、设简单硅二极管基本电路如图所示,已知r = 1kw。当vdd =10v时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流id分别为 和 ;当vdd =1v时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流id分别为 和 。
a、10ma,9.3ma; 1ma,0.3ma
b、10ma,1ma;9.3ma,3ma
c、1ma,0.93ma;0.1ma,0.03ma
d、10ma,0.93ma;1ma,0.03ma
10、12v电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24v的正弦波,则二极管流过的峰值电流为 ,二极管两端的最大反向电压为 。
a、240ma,24v
b、120ma,12v
c、120ma,36v
d、360ma,36v
11、二极管电路如图所示。输入电压只有0v或5v两个取值。利用二极管理想模型分析,在vi1和vi2电压的不同组合情况下,输出电压vo的值是 。
a、vo的a列
b、vo的b列
c、vo的c列
d、vo的d列
12、电路如图所示,d为硅二极管,若vdd = 2 v,r = 1 kw,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mv。则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为 ,vo的静态电压 ;动态时,vo的交流电压振幅为 。
a、2ma,2v;0.05v
b、1.3ma,1.3v;0.05v
c、2ma,2v;0.049v
d、1.3ma,1.3v;0.049v
13、稳压电路如图所示。若vi =10v,r =100w,齐纳二极管的vz =5v,iz(min)=5ma,iz(max)=50ma,那么负载rl的变化范围是 。
a、大于111w
b、小于111w
c、大于111kw
d、小于111kw
14、半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
15、对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。
16、二极管简化模型将二极管的i-v非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
17、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
18、在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。
19、本征半导体中的两种载流子为 和 。
复习4.2: 负反馈对放大电路性能的影响反馈放大电路测验题1、对于放大电路,所谓开环是指 。
a、无电源
b、无信号源
c、无反馈通路
d、无负载
2、对于放大电路,所谓闭环是指 。
a、有信号源
b、有反馈通路
c、接入了电源
d、接入了负载
3、温度升高时,若想稳定放大电路的静态工作点,应当引入 负反馈。
a、交流
b、直流
c、电压
d、电流
4、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的反馈是负反馈。
a、输入电阻增大
b、输出量增大
c、净输入量增大
d、净输入量减小
5、为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈。
a、电压取样
b、电流取样
c、串联输入
d、并联输入
6、为了减小放大电路的输入电阻,应引入 负反馈。
a、电压
b、电流
c、串联
d、并联
7、为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。
a、电压取样
b、电流取样
c、串联输入
d、并联输入
8、图示电路级间引入了 反馈,该反馈属于 反馈。
a、正,直流
b、负,交流
c、负,直交流
d、正,直交流
9、图示电路级间引入了 反馈,该反馈属于 反馈。
a、正,直流
b、负,交流
c、负,直交流
d、正,直交流
10、图示电路中级间的交流反馈属于__________。
a、电压串联正反馈
b、电流串联负反馈
c、电压串联负反馈
d、电流并联负反馈
e、电压并联负反馈
f、电流并联正反馈
11、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
a、电压串联正反馈
b、电流串联负反馈
c、电压串联负反馈
d、电流并联负反馈
e、电压并联负反馈
f、电流并联正反馈
12、图中最适合用于电流到电压转换的电路是 。
a、
b、
c、
d、
e、
13、已知放大电路的开环增益为2000,反馈系数为0.01,则闭环增益为 ,反馈深度为 。
a、95.2,21
b、100,21
c、95.2,20
d、100,20
14、已知放大电路输入信号电压为1mv,输出电压为1v,加入负反馈后,为达到同样输出时需要加的输入信号为50mv,那么电路的反馈深度为 ,反馈系数为 。
a、50,0.049
b、20,0.05
c、50,0.001
d、20,0.01
15、由于引入负反馈后,放大电路的增益会明显下降,所以引入负反馈对放大电路没有好处。
16、环路增益就是闭环增益。
17、负反馈只能改善环路内的放大电路性能,对反馈环外的电路无效。
18、无论在什么情况下,分析运算放大器组成的电路时,都可以运用虚短和虚断的概念。
19、为了改善反馈放大电路的性能,引入的负反馈深度越深越好。
20、只要反馈放大电路由负反馈变成了正反馈,就一定会产生自激。
复习4.1: 放大电路中的反馈如何判断2、三极管及其放大电路测验题1、bjt具有放大作用的外部电压条件是发射结_______,集电结_______。
a、正偏,反偏
b、反偏,正偏
c、零偏,正偏
d、反偏,零偏
2、当温度升高时,bjt集电极电流______。
a、增大
b、减小
c、不变
d、不确定
3、bjt放大电路共有三种组态的放大电路,它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
a、功率,共集电极
b、共集电极,反馈
c、反馈,功率
d、共集电极,共基极
4、用直流电压表测得放大电路中某bjt各管脚电位分别是2v、6v、2.7v,则三个电极分别是_______,该管是________型。
a、b、c、e;npn
b、c、b、e;npn
c、e、c、b;npn
d、b、c、e;pnp
e、f、b、e;pnp
f、e、c、b;pnp
5、复合管如图所示,等效为一个bjt时,2端是 ,3端是 。
a、基极,集电极
b、集电极,发射极
c、发射极,集电极
d、发射极,基极
6、测量若干硅npn型bjt各电极对地的电压值如下,工作在放大区的bjt是________。
a、vc=6v,vb=2v,ve=1.3v
b、vc=6v,vb=6v,ve=5.6v
c、vc=6v,vb=4v,ve=3.6v
d、vc=3.6v,vb=4v,ve=3.4v
7、下图的交流等效电路为________。
a、图(a)
b、图(b)
c、图(c)
d、图(d)
8、下图中静态工作点计算正确的是 。
a、
b、
c、
d、
9、射极偏置电路如图所示,已知b = 60。该电路的电压增益约为________。
a、-90
b、-103
c、-110
d、-120
10、在图示电路中,已知rb=510kw,rc=rl=3kw,rbe=1kw,vcc=12v,b=80,则电路的输入电阻约为________,输出电阻约为________。
a、87.3w,36w
b、1 kw,3 kw
c、110.3 kw,33 kw
d、3 kw,33 kw
11、在图示电路中,已知rb=510kw,rc=rl=3kw,rbe=1kw,vcc=12v,b=80,则电路的放大倍数为________。
a、-90
b、-100
c、-120
d、-200
12、同一只bjt,无论在什么情况下,它的b 值始终不变。
13、在阻容耦合放大电路中,信号源和负载电阻会影响电路的q点。
14、bjt的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况,不能用来分析静态工作点。
15、bjt组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。
复习5: 信号的运算与处理运算放大器测验题1、理想运算放大器的参数是开环电压增益avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
a、0,∞,∞
b、∞,0,∞
c、∞,0,0
d、∞,∞,0
2、放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而 放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
a、同相,反相
b、反相,同相
c、同相,同相
d、反相,反相
3、欲将方波电压转换为三角波电压,应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、加法运算电路
4、欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、加法运算电路
5、欲将输入电压信号放大-100倍,应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
e、同相加法运算电路
6、电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)av = vo/vi = ,ri = ;图(b)av = vo/vi = ,ri = 。
a、图(a)av =11,ri =1 kω;图(b)av=1;ri =1 kω
b、图(a)av = -10,ri =1 kω;图(b)av=1;ri =1 kω
c、图(a)av = 11,ri =1 kω;图(b)av=1;ri =∞
d、图(a)av = -10,ri =1 kω;图(b)av=1;ri =∞
7、理想运算放大器构成的电路如图10所示, = 。
a、
b、
c、
d、
8、加减法运算电路如图11所示,设运算放大器是理想的,则输出电压和输入电压的关系式为 。
a、
b、
c、
d、
9、在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
10、在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
11、集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。
12、放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。
13、电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。
复习10: 直流稳压电源直流稳压电源测验题1、整流是________。
a、将交流变为直流
b、将高频变为低频
c、将正弦波变为方波
d、电压变为电流
2、在桥式整流电路中,负载流过电流il,则每只整流管中的平均电流id为________。
a、il/2
b、il
c、il/4
d、2il
3、在单相桥式整流电路中,输出电压的平均值ul与变压器副边电压有效值u2的关系为_______。
a、ul=0.9u2
b、ul=1.4 u2
c、ul=0.45 u2
d、ul=1.2 u2
4、单限比较器有 个阈值信号。
a、1个
b、2个
c、3个
d、4个
5、在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
6、单相桥式整流电路的输出电压平均值比半波整流时增加了一倍。
7、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,将造成短路。
8、在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值ul与变压器副边电压有效值u2的关系为通常为ul=1.2u2
9、功率放大电路最主要的指标是输出电流。
19电信34班学习:第1章 常用半导体器件19电信3、4班——测验1:二极管及其基本电路1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
a、自由电子
b、共价键中价电子
c、正离子
d、负离子
2、n型半导体中的多数载流子是 ,而p型半导体中的多数载流子是 。
a、自由电子,空穴
b、空穴,自由电子
c、自由电子,正离子
d、空穴,负离子
3、pn结内电场方向是由 。
a、n区指向p区
b、p区指向n区
c、不确定
d、与外加电压有关
4、pn结正偏是指 。
a、n区电位高于p区
b、p区电位高于n区
c、p区和n区电位相等
d、与外加电压无关
5、二极管正偏时应重点关注 ,反偏时应重点关注 。
a、导通电流和耗散功率,最大反向电压
b、最高工作频率,最大反向电压
c、结电容,最高工作频率
d、最大反向电压,结电容
6、齐纳二极管正常稳压时,工作在 状态。
a、正向导通
b、反向截止
c、反向击穿
d、放大
7、点亮发光二极管应加 ,光电二极管正常工作时应加 ,变容二极管正常工作时应加 。
a、正偏电压,反偏电压,反偏电压
b、反偏电压,正偏电压,正偏电压
c、反偏电压,正偏电压,反偏电压
d、正偏电压,正偏电压,反偏电压
8、已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 ma,那么,此时二极管在室温(300k)下的小信号模型参数rd = 。
a、19.2 kω
b、1 kω
c、52 kω
d、52 ω
9、设简单硅二极管基本电路如图所示,已知r = 1kw。当vdd =10v时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流id分别为 和 ;当vdd =1v时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流id分别为 和 。
a、10ma,9.3ma; 1ma,0.3ma
b、10ma,1ma;9.3ma,3ma
c、1ma,0.93ma;0.1ma,0.03ma
d、10ma,0.93ma;1ma,0.03ma
10、12v电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24v的正弦波,则二极管流过的峰值电流为 ,二极管两端的最大反向电压为 。
a、240ma,24v
b、120ma,12v
c、120ma,36v
d、360ma,36v
11、二极管电路如图所示。输入电压只有0v或5v两个取值。利用二极管理想模型分析,在vi1和vi2电压的不同组合情况下,输出电压vo的值是 。
a、vo的a列
b、vo的b列
c、vo的c列
d、vo的d列
12、电路如图所示,d为硅二极管,若vdd = 2 v,r = 1 kw,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mv。则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为 ,vo的静态电压 ;动态时,vo的交流电压振幅为 。
a、2ma,2v;0.05v
b、1.3ma,1.3v;0.05v
c、2ma,2v;0.049v
d、1.3ma,1.3v;0.049v
13、稳压电路如图所示。若vi =10v,r =100w,齐纳二极管的vz =5v,iz(min)=5ma,iz(max)=50ma,那么负载rl的变化范围是 。
a、大于111w
b、小于111w
c、大于111kw
d、小于111kw
14、半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
15、对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。
16、二极管简化模型将二极管的i-v非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
17、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
18、在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。
2020年《模拟电子技术》毕业班重修考试2020年《模拟电子技术基础》重修考试试题1、电路如图所示,设运放是理想的,则电路的电压增益为 。
a、21
b、-20
c、22
d、-21
2、下图表示的反相求和运算电路,设运放是理想的,则输出电压和输入电压的关系式为。
a、
b、
c、
d、
3、若要将占空比为50%的矩形波转变为三角波,则应选用 。
a、反相比例运算电路
b、同相比例运算电路
c、微分运算电路
d、积分运算电路
4、有a、b、c、d四个二极管,测得它们的反向电流以分别是2μa,0.5μa,5μa,1μa;在外加相同数值的正向电压时,每管电流分别是10ma、30ma,15ma,30ma。比较而言__________性能最好。
a、a管
b、b管
c、c管
d、d管
5、整流二极管工作时利用的是二极管的 特性。
a、反向电击穿
b、势垒电容
c、单向导电
d、扩散电容
6、图(a)所示电路的直流通路是________。
a、图(b)
b、图(c)
c、图(d)
d、没有正确答案
7、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为________。
a、图b
b、图c
c、图d
d、图e
8、共集、共基和共射三种组态放大电路中,又称为电压跟随器的是_________。
a、共基
b、共集
c、共射
d、共集和共基电路都是
9、共射放大电路信号由_________输入,_________输出。
a、发射极,基极
b、基极,发射极
c、集电极,基极
d、基极,集电极
10、bjt放大电路中,基极电位为0v,发射极电位为0v,集电极电位为15v,则三极管处于___________状态。
a、截止
b、放大
c、饱和
d、导通
11、下图为典型的静态工作点稳定电路,其交流等效电路为________。
a、图a
b、图b
c、图c
d、图d
12、在两级直接耦合放大电路中,已知第一级的放大倍数为10倍,第二级的放大倍数为10倍,则两级放大电路的电压增益为 。
a、100倍
b、20倍
c、10倍
d、10的10次方倍
13、电流反馈是指________。
a、反馈信号是电流
b、反馈取样端口与输出信号端口并联
c、反馈信号端口与输入信号端口串联
d、反馈信号取自输出电流
14、下图表示的是________负反馈。
a、电压串联
b、电压并联
c、电流串联
d、电流并联
15、在下面关于负反馈的说法中,错误的是________。
a、负反馈一定会使放大电路的增益下降
b、负反馈会使输入信号增大
c、负反馈可以减小放大电路的非线性失真
d、负反馈可以影响放大电路的带宽
16、多级放大电路中,通常在________需要考虑使用功率放大电路。
a、输入级
b、输出级
c、中间级
d、都可以
17、有用信号频率全部都集中在高频段,需选用________滤波器。
a、高通
b、带通
c、低通
d、带阻
18、一比较器电路如图所示。vref=-1v,vz=5v,输出电压值为 。
a、正负5v
b、5v
c、负5v
d、负1v
19、下图表示的是________电路。
a、三角波
b、锯齿波
c、方波
d、正弦波
20、在单相桥式整流电路中,电源变压器次级电压的有效值为20v,则每只二极管承受的最大反向电压约为________。
a、18v
b、28v
c、36v
d、56v
21、晶体管的集电极电流ic是基极电流ib的 倍。
a、倍
b、1 倍
c、2 倍
d、3 倍
22、对于放大电路,所谓开环是指 。
a、无信号源
b、无电源
c、无反馈通路
d、无负载
23、下图表示的 滤波器。
a、带阻
b、带通
c、高通
d、低通
24、下图表示的是rc桥式正弦波振荡电路,其中rf应大于r1的 倍。
a、4
b、2
c、3
d、6
25、一般单限比较器有 个阈值信号。
a、4个
b、3个
c、2个
d、1个
26、btl电路指的是 。
a、桥式推挽功率放大电路
b、无输出变压器功率放大电路
c、无输出电容功率放大电路
d、变压器耦合功率放大电路
27、下图中,有反馈的电路是 。
a、图1
b、图2
c、图3
d、都没有反馈
28、稳压管的稳压区是其工作在 。
a、反向击穿
b、反向截止
c、正向导通
d、正向截止
29、关于共模抑制比说法错误的是 。
a、为了考察差分放大电路对差模信号的放大能力和对共模信号的抑制能力。
b、共模抑制比等于0,说明电路性能愈好。
c、共模抑制比等于无穷大,说明电路性能愈好。
d、共模抑制比是差模放大倍数与共模放大倍数之比。
30、下图为镜像电流源,当=98,ir=1ma,那么集电极电流ic1等于 。
a、98ma
b、1ma
c、0.98ma
d、10ma
31、对于放大电路,所谓闭环是指 。
a、有信号源
b、接入了电源
c、接入了负载
d、有反馈通路
32、理想运算放大器的参数是开环电压增益avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
a、0,∞,∞
b、∞,0,∞
c、∞,0,0
d、∞,∞,0
33、欲将输入电压信号放大-100倍,应选用 。
a、反相输入式放大电路
b、同相输入式放大电路
c、积分运算电路
d、微分运算电路
34、点亮发光二极管应加 。
a、反偏电压
b、正偏电压
c、零偏电压
d、都可以
35、以下放大电路中,效率最高的是 。
a、甲类放大器
b、乙类放大器
c、甲乙类放大器
d、差分式放大器
36、pn结内电场方向是由 。
a、n区指向p区
b、p区指向n区
c、不确定
d、与外加电压有关
37、放大电路中“地”符号“^”的参考电位为零电位。
38、从二极管的伏安特性曲线看,二极管两端施加的正向压降大于门槛电压时处于正向导通状态。
39、因为n型半导体的多数载流子是自由电子,所以n型半导体带负电。
40、多级放大电路的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻,而放大电路的输出电阻等于最后一级(输出级)的输出电阻。
41、npn型三极管正常工作在放大区时,三个电极的电位关系应该是:集电极电位最高,发射极电位最低,基极电位介于它们之间。
42、设计多级放大电路时,其中的单级带宽通常都应该大于总带宽才行。
43、高精度型集成运放不适用于微弱信号的精密测量和运算。
44、差分放大电路常作为集成运放的输入级。
45、通过整流电路可以将交流电压转换成直流电压。
46、无输出变压器的功率放大电路简称为otl电路。
47、窗口比较器有3个阈值信号。
48、利用积分运算电路不可以实现方波-三角波的波形变换。
49、放大电路中引入交流负反馈后,可以稳定放大倍数,改变输入电阻和输出电阻。
50、使基本放大电路净输入量减小的反馈称为正反馈。
51、振荡电路与放大电路的区别是:放大电路有输入信号作为激励,输出信号为输入信号的响应,而振荡电路无需输入信号,却有输出信号。
52、直流通路是在直流电源作用下直流电流流经的通路,交流通路是在输入信号作用下交流信号流经的通路。
53、在放大电路中,直流电源的作用和交流信号的作用总是共存的。
54、绝缘栅型场效应管又称为mos管。
55、pn结的单向导电性指的是加正向电压时处于导通状态,加反向电压时处于截止状态。
56、本征半导体的两种载流子为自由电子和 。
57、三极管有3个电极,分别为基极、发射极和 。
58、场效应管有三个工作区域:可变电阻区、 和夹断区。
59、稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内,端电压几乎不变,表现出 特性。
60、功率放大电路的主要技术指标为最大输出功率和转换 。
2020年《模拟电子技术》非毕业班重修考试《模拟电子技术》非毕业班重修考试(客观题)1、稳压管的稳压区是其工作在 。
a、反向击穿
b、反向截止
c、正向导通
d、正向击穿
2、设二极管导通电压为0.7v,求下图电路的输出电压为 。
a、1
b、1.3
c、2
d、0
3、工作在放大区的某三极管,如果当ib电流从12 a增大到22 a时,ic从1ma变为
2 ma,那么它的约为 。
a、10
b、83
c、100
d、91
4、下图表示的哪种类型的场效应管。
a、n沟道结型场效应管
b、增强型mos管
c、耗尽型mos管
d、p沟道结型场效应管
5、具有电压跟随特点,电压放大倍数约等于1的是 电路。
a、共集放大电路
b、共基放大电路
c、共射放大电路
d、共栅放大电路
6、当变压器二次电压有效值为20v,则单相半波整流电路的输出电压平均值为 v。
a、9
b、20
c、18
d、0
7、图中d1和d2的作用是消除 。
a、饱和失真
b、交越失真
c、截止失真
d、负峰切割失真
8、下图表示的 发生电路。
a、正弦波发生电路
b、锯齿波发生电路
c、三角波发生电路
d、方波发生电路
9、下图为单限过零比较器,uz=6v,求该电路在正常工作下输出电压为 v。
a、正负6v
b、6v
c、负6v
d、不确定
10、在rc桥式正弦波振荡电路中,其放大电路的放大倍数必须大于等于 。
a、1
b、2
c、3
d、4
11、为了获得输入电压中的低频信号,应选用 滤波电路。
a、低通
b、高通
c、带通
d、带阻
12、欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用 。
a、积分运算电路
b、微分运算电路
c、减法运算电路
d、加法运算电路
13、下图为反相比例运算电路,r=10k,rf=100k,求输出电压是输入电压的 倍。
a、-10
b、10
c、-100
d、100
14、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的反馈是负反馈。
a、输入电阻增大
b、输出量增大
c、净输入量增大
d、净输入量减小
15、为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈。
a、电压
b、电流
c、串联
d、并联
16、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
a、减小温漂
b、增大放大倍数
c、提高输出电阻
d、稳定静态工作点
17、下图表示的是 电路。
a、微电流源电路
b、比例电流源电路
c、多路电压源电路
d、电压源电路
18、图(a)所示电路的直流通路是________。
a、图b
b、图c
c、图d
d、没有正确答案
19、下图为典型的静态工作点稳定电路,其交流等效电路为________。
a、图a
b、图b
c、图c
d、图d
20、画放大电路的直流通路时,不正确的做法是 。
a、电感视为短路
b、电容视为短路
c、信号源视为短路
d、保留信号源内阻
21、在本征半导体中加入 元素可形成n型半导体。
a、五价
b、四价
c、三价
d、二价
22、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。
a、不变
b、减小
c、增大
d、不确定
23、pn结加正向电压时,空间电荷区将 。
a、不变
b、变窄
c、变宽
d、先变宽后变窄
24、负载需5a电流驱动的放大器,应选用 集成运放。
a、高阻型
b、高速型
c、大功率型
d、低功耗型
25、在镜像电流源中,当远远大于 时,电流源的输出电流与基准电源基本相等。
a、2
b、4
c、6
d、8
26、下图表示的 组态放大电路。
a、共射
b、共基
c、共集
d、共源
27、多级放大电路的常见耦合方式有 。
a、直接耦合
b、阻容耦合
c、变压器耦合
d、光电耦合
28、由集成运放组成的负反馈放大电路包括 。
a、电压串联负反馈
b、电压并联负反馈
c、电流串联负反馈
d、电流并联负反馈
29、负反馈对放大电路性能的影响包括 。
a、稳定放大倍数
b、改变输入电阻和输出电阻
c、减小非线性失真
d、缩小频带
30、具有放大作用的半导体器件是 。
a、三极管
b、场效应管
c、发光二极管
d、稳压管
31、半导体只依靠自由电子导电。
32、pn结不具备单向导电性。
33、使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。
34、绝缘栅型场效应管又称为mos管。
35、只放大电压不放大电流或只放大电流不放大电压的电路,不能称其为放大电路。
36、常用共模抑制比来考察差分放大电路对差模信号的放大能力和共模信号的抑制能力。
37、对电压放大电路的输出级,一般有两个基本要求:一是输出电阻要大,而是最大不失真输出电压要尽可能大。
38、开环是指存在反馈通路,闭环是指无反馈通路。
39、积分运算电路可以实现方波到三角波的转换。
40、一般单限比较器有两个阈值信号。
41、功率放大电路的主要技术指标是最大输出功率和转换效率。
42、在反馈电路中,反馈量是仅仅决定于输出量的物理量,而与输出量无关。
43、滤波电路的功能是使特定频率范围内的信号通过,而阻止其它频率信号通过。
44、正弦波振荡电路需引入负反馈以满足振荡条件。
45、btl电路又称为桥式推挽功率放大电路。
46、本征半导体中的两种载流子为自由电子和 。
47、晶体管单管放大电路的三种接法为共集、 和共射。
48、集成运放的电压传输特性曲线分为线性区和 。
49、otl电路指的是无输出 的功率放大电路。
50、单相交流电经过变压器、整流电路、滤波电路和 电路转换成直流电压。
模拟电子技术非毕业班重修考试(主观题)1、
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